ਪੀਸੀਬੀ ਦੀ ਚੋਣ ਅਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਤੋਂ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਬੈਂਡ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ ਬਾਰੇ ਵਿਚਾਰ

ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਰਾਡਾਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵਿੱਚ ਸਿਗਨਲ ਦੀ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ 30 ਅਤੇ 300 GHz ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਭਾਵੇਂ ਕਿ 24 GHz ਤੱਕ ਘੱਟ ਹੋਵੇ।ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸਰਕਟ ਫੰਕਸ਼ਨਾਂ ਦੀ ਮਦਦ ਨਾਲ, ਇਹ ਸਿਗਨਲ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਟਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਲਾਈਨ ਤਕਨੀਕਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨਾਂ, ਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨਾਂ, ਸਬਸਟਰੇਟ ਇੰਟੀਗ੍ਰੇਟਿਡ ਵੇਵਗਾਈਡ (SIW) ਅਤੇ ਗਰਾਊਂਡਡ ਕੋਪਲਾਨਰ ਵੇਵਗਾਈਡ (GCPW) ਰਾਹੀਂ ਪ੍ਰਸਾਰਿਤ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।ਇਹ ਟਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਲਾਈਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀਆਂ (ਚਿੱਤਰ 1) ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ 'ਤੇ, ਅਤੇ ਕਈ ਵਾਰ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ 'ਤੇ ਵਰਤੀਆਂ ਜਾਂਦੀਆਂ ਹਨ।ਇਸ ਉੱਚ ਆਵਿਰਤੀ ਸਥਿਤੀ ਲਈ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਸਰਕਟ ਲੈਮੀਨੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ, ਸਭ ਤੋਂ ਸਰਲ ਅਤੇ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਧ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਲਾਈਨ ਸਰਕਟ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, ਰਵਾਇਤੀ ਸਰਕਟ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਉੱਚ ਸਰਕਟ ਯੋਗਤਾ ਦਰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।ਪਰ ਜਦੋਂ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਨੂੰ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਤੱਕ ਵਧਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਇਹ ਸਰਵੋਤਮ ਸਰਕਟ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਲਾਈਨ ਨਹੀਂ ਹੋ ਸਕਦੀ।ਹਰੇਕ ਟਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਲਾਈਨ ਦੇ ਆਪਣੇ ਫਾਇਦੇ ਅਤੇ ਨੁਕਸਾਨ ਹਨ।ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਹਾਲਾਂਕਿ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਕਰਨਾ ਆਸਾਨ ਹੈ, ਪਰ ਇਹ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਣ 'ਤੇ ਉੱਚ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਸਮੱਸਿਆ ਨੂੰ ਹੱਲ ਕਰਨਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ 1 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲ ਹੋਣ ਵੇਲੇ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਸਰਕਟ ਡਿਜ਼ਾਈਨਰਾਂ ਨੂੰ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ 'ਤੇ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਚਾਰ ਟਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਲਾਈਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀਆਂ ਦੀ ਚੋਣ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਕਰਨਾ ਪੈਂਦਾ ਹੈ।

ਹਾਲਾਂਕਿ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਦੀ ਖੁੱਲੀ ਬਣਤਰ ਭੌਤਿਕ ਕੁਨੈਕਸ਼ਨ ਲਈ ਸੁਵਿਧਾਜਨਕ ਹੈ, ਇਹ ਉੱਚ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ 'ਤੇ ਕੁਝ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਦਾ ਕਾਰਨ ਵੀ ਬਣੇਗੀ।ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਲਾਈਨ ਵਿੱਚ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ (EM) ਤਰੰਗਾਂ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਸਾਰਿਤ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ, ਪਰ ਕੁਝ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਆਲੇ ਦੁਆਲੇ ਦੀ ਹਵਾ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਸਾਰਿਤ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ।ਹਵਾ ਦੇ ਘੱਟ Dk ਮੁੱਲ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਸਰਕਟ ਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵੀ Dk ਮੁੱਲ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਨਾਲੋਂ ਘੱਟ ਹੈ, ਜਿਸ ਨੂੰ ਸਰਕਟ ਸਿਮੂਲੇਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਵਿਚਾਰਿਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।ਘੱਟ Dk ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ, ਉੱਚ Dk ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਬਣੇ ਸਰਕਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਵਿੱਚ ਰੁਕਾਵਟ ਪਾਉਂਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਪ੍ਰਸਾਰ ਦਰ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦੇ ਹਨ।ਇਸ ਲਈ, ਘੱਟ ਡੀਕੇ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

ਕਿਉਂਕਿ ਹਵਾ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਊਰਜਾ ਦੀ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਡਿਗਰੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਸਰਕਟ ਇੱਕ ਐਂਟੀਨਾ ਵਾਂਗ ਹਵਾ ਵਿੱਚ ਬਾਹਰ ਵੱਲ ਰੇਡੀਏਟ ਹੋਵੇਗਾ।ਇਸ ਨਾਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਸਰਕਟ ਨੂੰ ਬੇਲੋੜੀ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਹੋਵੇਗਾ, ਅਤੇ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਦੇ ਵਾਧੇ ਨਾਲ ਨੁਕਸਾਨ ਵਧੇਗਾ, ਜੋ ਸਰਕਟ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਸੀਮਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਸਰਕਟ ਡਿਜ਼ਾਈਨਰਾਂ ਲਈ ਚੁਣੌਤੀਆਂ ਵੀ ਲਿਆਉਂਦਾ ਹੈ।ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨਾਂ ਨੂੰ ਉੱਚ ਡੀਕੇ ਮੁੱਲਾਂ ਵਾਲੀ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਨਾਲ ਬਣਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਹਾਲਾਂਕਿ, Dk ਦਾ ਵਾਧਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਪ੍ਰਸਾਰ ਦਰ (ਹਵਾ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰੀ) ਨੂੰ ਹੌਲੀ ਕਰ ਦੇਵੇਗਾ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਸਿਗਨਲ ਪੜਾਅ ਸ਼ਿਫਟ ਹੋਵੇਗਾ।ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਕਰਨ ਲਈ ਪਤਲੇ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਦਾ ਇਕ ਹੋਰ ਤਰੀਕਾ ਹੈ।ਹਾਲਾਂਕਿ, ਮੋਟੇ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਵਿੱਚ, ਪਤਲੇ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਤਾਂਬੇ ਦੇ ਫੋਇਲ ਦੀ ਸਤਹ ਦੀ ਖੁਰਦਰੀ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਲਈ ਵਧੇਰੇ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਇੱਕ ਖਾਸ ਸਿਗਨਲ ਪੜਾਅ ਸ਼ਿਫਟ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣਦੀ ਹੈ।

ਹਾਲਾਂਕਿ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਸਰਕਟ ਦੀ ਸੰਰਚਨਾ ਸਧਾਰਨ ਹੈ, ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਬੈਂਡ ਵਿੱਚ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਸਰਕਟ ਨੂੰ ਸਹੀ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਨਿਯੰਤਰਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਕੰਡਕਟਰ ਦੀ ਚੌੜਾਈ ਜਿਸਨੂੰ ਸਖਤੀ ਨਾਲ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ, ਅਤੇ ਜਿੰਨੀ ਉੱਚੀ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਹੋਵੇਗੀ, ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਓਨੀ ਹੀ ਸਖਤ ਹੋਵੇਗੀ।ਇਸ ਲਈ, ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਬੈਂਡ ਵਿੱਚ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਬਦਲਾਅ ਲਈ ਬਹੁਤ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਹੈ, ਨਾਲ ਹੀ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਮੋਟਾਈ, ਅਤੇ ਲੋੜੀਂਦੇ ਸਰਕਟ ਆਕਾਰ ਲਈ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਬਹੁਤ ਸਖਤ ਹਨ।

ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨ ਇੱਕ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਸਰਕਟ ਟਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਲਾਈਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਵਿੱਚ ਚੰਗੀ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।ਹਾਲਾਂਕਿ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ, ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨ ਕੰਡਕਟਰ ਮਾਧਿਅਮ ਨਾਲ ਘਿਰਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਸਿਗਨਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਲਈ ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨ ਨਾਲ ਕਨੈਕਟਰ ਜਾਂ ਹੋਰ ਇਨਪੁਟ/ਆਊਟਪੁੱਟ ਪੋਰਟਾਂ ਨੂੰ ਜੋੜਨਾ ਆਸਾਨ ਨਹੀਂ ਹੈ।ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨ ਨੂੰ ਇੱਕ ਕਿਸਮ ਦੀ ਸਮਤਲ ਕੋਐਕਸ਼ੀਅਲ ਕੇਬਲ ਮੰਨਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਕੰਡਕਟਰ ਨੂੰ ਇੱਕ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਪਰਤ ਦੁਆਰਾ ਲਪੇਟਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਫਿਰ ਇੱਕ ਸਟ੍ਰੈਟਮ ਦੁਆਰਾ ਕਵਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਇਹ ਢਾਂਚਾ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੇ ਸਰਕਟ ਆਈਸੋਲੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਭਾਵ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ (ਆਲੇ-ਦੁਆਲੇ ਦੀ ਹਵਾ ਦੀ ਬਜਾਏ) ਵਿੱਚ ਸਿਗਨਲ ਦੇ ਪ੍ਰਸਾਰ ਨੂੰ ਜਾਰੀ ਰੱਖਦਾ ਹੈ।ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਹਮੇਸ਼ਾ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਸਾਰਿਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨ ਸਰਕਟ ਨੂੰ ਹਵਾ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਧਿਆਨ ਵਿੱਚ ਰੱਖੇ ਬਿਨਾਂ, ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਸਿਮੂਲੇਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਹਾਲਾਂਕਿ, ਮਾਧਿਅਮ ਨਾਲ ਘਿਰਿਆ ਸਰਕਟ ਕੰਡਕਟਰ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਲਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਿਗਨਲ ਫੀਡਿੰਗ ਦੀਆਂ ਚੁਣੌਤੀਆਂ ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨ ਲਈ ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ 'ਤੇ ਛੋਟੇ ਕਨੈਕਟਰ ਆਕਾਰ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ, ਇਸਦਾ ਮੁਕਾਬਲਾ ਕਰਨਾ ਮੁਸ਼ਕਲ ਬਣਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ।ਇਸ ਲਈ, ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਰਾਡਾਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਕੁਝ ਸਰਕਟਾਂ ਨੂੰ ਛੱਡ ਕੇ, ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨਾਂ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਨਹੀਂ ਵਰਤੀਆਂ ਜਾਂਦੀਆਂ ਹਨ।

ਕਿਉਂਕਿ ਹਵਾ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਊਰਜਾ ਦੀ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਡਿਗਰੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਸਰਕਟ ਇੱਕ ਐਂਟੀਨਾ ਵਾਂਗ ਹਵਾ ਵਿੱਚ ਬਾਹਰ ਵੱਲ ਰੇਡੀਏਟ ਹੋਵੇਗਾ।ਇਸ ਨਾਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਸਰਕਟ ਨੂੰ ਬੇਲੋੜੀ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਹੋਵੇਗਾ, ਅਤੇ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਦੇ ਵਾਧੇ ਨਾਲ ਨੁਕਸਾਨ ਵਧੇਗਾ, ਜੋ ਸਰਕਟ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਸੀਮਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਸਰਕਟ ਡਿਜ਼ਾਈਨਰਾਂ ਲਈ ਚੁਣੌਤੀਆਂ ਵੀ ਲਿਆਉਂਦਾ ਹੈ।ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨਾਂ ਨੂੰ ਉੱਚ ਡੀਕੇ ਮੁੱਲਾਂ ਵਾਲੀ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਨਾਲ ਬਣਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਹਾਲਾਂਕਿ, Dk ਦਾ ਵਾਧਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਪ੍ਰਸਾਰ ਦਰ (ਹਵਾ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰੀ) ਨੂੰ ਹੌਲੀ ਕਰ ਦੇਵੇਗਾ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਸਿਗਨਲ ਪੜਾਅ ਸ਼ਿਫਟ ਹੋਵੇਗਾ।ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਕਰਨ ਲਈ ਪਤਲੇ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਦਾ ਇਕ ਹੋਰ ਤਰੀਕਾ ਹੈ।ਹਾਲਾਂਕਿ, ਮੋਟੇ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਵਿੱਚ, ਪਤਲੇ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਤਾਂਬੇ ਦੇ ਫੋਇਲ ਦੀ ਸਤਹ ਦੀ ਖੁਰਦਰੀ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਲਈ ਵਧੇਰੇ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਇੱਕ ਖਾਸ ਸਿਗਨਲ ਪੜਾਅ ਸ਼ਿਫਟ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣਦੀ ਹੈ।

ਹਾਲਾਂਕਿ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਸਰਕਟ ਦੀ ਸੰਰਚਨਾ ਸਧਾਰਨ ਹੈ, ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਬੈਂਡ ਵਿੱਚ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਸਰਕਟ ਨੂੰ ਸਹੀ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਨਿਯੰਤਰਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਕੰਡਕਟਰ ਦੀ ਚੌੜਾਈ ਜਿਸਨੂੰ ਸਖਤੀ ਨਾਲ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ, ਅਤੇ ਜਿੰਨੀ ਉੱਚੀ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਹੋਵੇਗੀ, ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਓਨੀ ਹੀ ਸਖਤ ਹੋਵੇਗੀ।ਇਸ ਲਈ, ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਬੈਂਡ ਵਿੱਚ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਬਦਲਾਅ ਲਈ ਬਹੁਤ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਹੈ, ਨਾਲ ਹੀ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਮੋਟਾਈ, ਅਤੇ ਲੋੜੀਂਦੇ ਸਰਕਟ ਆਕਾਰ ਲਈ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਬਹੁਤ ਸਖਤ ਹਨ।

ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨ ਇੱਕ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਸਰਕਟ ਟਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਲਾਈਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਵਿੱਚ ਚੰਗੀ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।ਹਾਲਾਂਕਿ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ, ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨ ਕੰਡਕਟਰ ਮਾਧਿਅਮ ਨਾਲ ਘਿਰਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਸਿਗਨਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਲਈ ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨ ਨਾਲ ਕਨੈਕਟਰ ਜਾਂ ਹੋਰ ਇਨਪੁਟ/ਆਊਟਪੁੱਟ ਪੋਰਟਾਂ ਨੂੰ ਜੋੜਨਾ ਆਸਾਨ ਨਹੀਂ ਹੈ।ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨ ਨੂੰ ਇੱਕ ਕਿਸਮ ਦੀ ਸਮਤਲ ਕੋਐਕਸ਼ੀਅਲ ਕੇਬਲ ਮੰਨਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਕੰਡਕਟਰ ਨੂੰ ਇੱਕ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਪਰਤ ਦੁਆਰਾ ਲਪੇਟਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਫਿਰ ਇੱਕ ਸਟ੍ਰੈਟਮ ਦੁਆਰਾ ਕਵਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਇਹ ਢਾਂਚਾ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੇ ਸਰਕਟ ਆਈਸੋਲੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਭਾਵ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ (ਆਲੇ-ਦੁਆਲੇ ਦੀ ਹਵਾ ਦੀ ਬਜਾਏ) ਵਿੱਚ ਸਿਗਨਲ ਦੇ ਪ੍ਰਸਾਰ ਨੂੰ ਜਾਰੀ ਰੱਖਦਾ ਹੈ।ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਹਮੇਸ਼ਾ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਸਾਰਿਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨ ਸਰਕਟ ਨੂੰ ਹਵਾ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਧਿਆਨ ਵਿੱਚ ਰੱਖੇ ਬਿਨਾਂ, ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਸਿਮੂਲੇਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਹਾਲਾਂਕਿ, ਮਾਧਿਅਮ ਨਾਲ ਘਿਰਿਆ ਸਰਕਟ ਕੰਡਕਟਰ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਲਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਿਗਨਲ ਫੀਡਿੰਗ ਦੀਆਂ ਚੁਣੌਤੀਆਂ ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨ ਲਈ ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ 'ਤੇ ਛੋਟੇ ਕਨੈਕਟਰ ਆਕਾਰ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ, ਇਸਦਾ ਮੁਕਾਬਲਾ ਕਰਨਾ ਮੁਸ਼ਕਲ ਬਣਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ।ਇਸ ਲਈ, ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਰਾਡਾਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਕੁਝ ਸਰਕਟਾਂ ਨੂੰ ਛੱਡ ਕੇ, ਸਟ੍ਰਿਪਲਾਈਨਾਂ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਨਹੀਂ ਵਰਤੀਆਂ ਜਾਂਦੀਆਂ ਹਨ।

ਚਿੱਤਰ 2 GCPW ਸਰਕਟ ਕੰਡਕਟਰ ਦਾ ਡਿਜ਼ਾਇਨ ਅਤੇ ਸਿਮੂਲੇਸ਼ਨ ਆਇਤਾਕਾਰ (ਉਪਰੋਕਤ ਚਿੱਤਰ) ਹੈ, ਪਰ ਕੰਡਕਟਰ ਨੂੰ ਇੱਕ ਟ੍ਰੈਪੀਜ਼ੋਇਡ (ਹੇਠਾਂ ਚਿੱਤਰ) ਵਿੱਚ ਸੰਸਾਧਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸਦਾ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ 'ਤੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਪ੍ਰਭਾਵ ਹੋਣਗੇ।

ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਉਭਰ ਰਹੇ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਸਰਕਟ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਜੋ ਸਿਗਨਲ ਫੇਜ਼ ਰਿਸਪਾਂਸ (ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਰਾਡਾਰ) ਪ੍ਰਤੀ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਪੜਾਅ ਦੀ ਅਸੰਗਤਤਾ ਦੇ ਕਾਰਨਾਂ ਨੂੰ ਘੱਟ ਤੋਂ ਘੱਟ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ GCPW ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਲਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸਮੱਗਰੀ Dk ਮੁੱਲ ਅਤੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਮੋਟਾਈ ਵਿੱਚ ਬਦਲਾਅ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।ਦੂਜਾ, ਸਰਕਟ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਤਾਂਬੇ ਦੇ ਕੰਡਕਟਰ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਅਤੇ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਫੁਆਇਲ ਦੀ ਸਤਹ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ।ਇਸ ਲਈ, ਤਾਂਬੇ ਦੇ ਕੰਡਕਟਰ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਨੂੰ ਸਖਤ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਦੇ ਅੰਦਰ ਰੱਖਿਆ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਫੁਆਇਲ ਦੀ ਸਤਹ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਨੂੰ ਘੱਟ ਤੋਂ ਘੱਟ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।ਤੀਜਾ, GCPW ਸਰਕਟ 'ਤੇ ਸਤਹ ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਚੋਣ ਸਰਕਟ ਦੀ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਨੂੰ ਵੀ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਰਸਾਇਣਕ ਨਿਕਲ ਸੋਨੇ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਸਰਕਟ ਵਿੱਚ ਤਾਂਬੇ ਨਾਲੋਂ ਵਧੇਰੇ ਨਿਕਲ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਨਿੱਕਲ ਪਲੇਟਿਡ ਸਤਹ ਪਰਤ GCPW ਜਾਂ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ (ਚਿੱਤਰ 3) ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਵਧਾਏਗੀ।ਅੰਤ ਵਿੱਚ, ਛੋਟੀ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਕੋਟਿੰਗ ਮੋਟਾਈ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ ਵੀ ਪੜਾਅ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣੇਗੀ, ਅਤੇ GCPW ਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਨਾਲੋਂ ਵੱਧ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ 3 ਚਿੱਤਰ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਈ ਗਈ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਅਤੇ GCPW ਸਰਕਟ ਇੱਕੋ ਸਰਕਟ ਸਮੱਗਰੀ (ਰੋਜਰਜ਼ ਦੀ 8mil ਮੋਟੀ RO4003C™ ਲੈਮੀਨੇਟ) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਨ, GCPW ਸਰਕਟ ਉੱਤੇ ENIG ਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵ ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵੇਵ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਿਪ ਲਾਈਨ ਉੱਤੇ ਉਸ ਨਾਲੋਂ ਕਿਤੇ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ।